12月27日，由中國(guó)自主研制的國(guó)內(nèi)唯一一款最大電壓等級(jí)、最高功率密度的6500伏高壓IGBT芯片及其模塊，在中國(guó)南車株洲所首次正式向外界亮相。這款超極IGBT芯片代表了中國(guó)功率半導(dǎo)體器件行業(yè)IGBT技術(shù)的最高水平。
　　IGBT中文名為“絕緣柵雙極型晶體管”。此前，高壓高功率密度IGBT技術(shù)幾乎全部被國(guó)外少數(shù)幾家企業(yè)壟斷，國(guó)內(nèi)還是一片空白，使得中國(guó)關(guān)鍵產(chǎn)業(yè)發(fā)展在很大程度上受制于人。
　　從傳統(tǒng)的電力、機(jī)械、礦冶，到軌道交通、航空航天、新能源裝備以及特種裝備等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，高壓高功率密度的IGBT應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，堪稱現(xiàn)代功率變流裝置的“心臟”和綠色高端產(chǎn)業(yè)的“核芯”。
　　從2011年開(kāi)始，中國(guó)南車株洲所通過(guò)全球性的戰(zhàn)略布局，吸納國(guó)際優(yōu)勢(shì)研發(fā)資源，對(duì)該項(xiàng)高端技術(shù)進(jìn)行自主攻關(guān)，終于在2012年12月份開(kāi)發(fā)出國(guó)內(nèi)首款從芯片到模塊完全自主化的3300伏等級(jí)的IGBT芯片，并在此基礎(chǔ)上，又成功研制出4500伏、6500V高功率密度IGBT芯片及模塊。
　　這款超極IGBT芯片當(dāng)天亮相于中國(guó)南車株洲所舉辦的“高壓高功率密度IGBT芯片及其模塊研究開(kāi)發(fā)”項(xiàng)目鑒定會(huì)。來(lái)自中國(guó)科學(xué)院、中國(guó)工程院的四位院士以及來(lái)自中科院微電子所、南京大學(xué)、中南大學(xué)等高等院所的權(quán)威專家一致認(rèn)為：中國(guó)南車株洲所研制的高壓高功率密度IGBT系列器件具有耐壓高、電流大，功率損耗低、動(dòng)態(tài)性能好等諸多優(yōu)點(diǎn)，經(jīng)歷了嚴(yán)苛的性能測(cè)試和試驗(yàn)考核，而且具有在軌道交通、柔性直流輸電等重大工程項(xiàng)目的實(shí)際應(yīng)用業(yè)績(jī)，其成果總體技術(shù)處于國(guó)際領(lǐng)先水平、填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)行業(yè)空白，實(shí)現(xiàn)了中國(guó)在高端IGBT技術(shù)領(lǐng)域與國(guó)際先進(jìn)水平接軌，具有重大戰(zhàn)略意義。
　　據(jù)悉，目前，中國(guó)已成為世界上IGBT產(chǎn)品最大的消費(fèi)市場(chǎng)，以高速動(dòng)車組、大功率機(jī)車、新能源裝備、電網(wǎng)為龍頭的國(guó)內(nèi)變頻產(chǎn)業(yè)年IGBT需求量超過(guò)50億元，而且每年以15%以上速度增長(zhǎng)。 (記者劉雙雙 通訊員劉亞鵬 曹婷)